Дослідники запропонували зменшити втрати відбиття Френеля на інтерфейсі мікросхеми / інкапсуляційного матеріалу у фіксованому конусі виходу фотонів, щоб поліпшити пропускання світла, що генерується всередині світлодіодного чіпа на інтерфейсі світлодіодного чіпа / інкапсуляційного матеріалу. Найменша зміна.
Дослідження показали, що в умовах довжини хвилі пікового випромінювання пропускна здатність світла на межі інтерфейсу типового світлодіодного мікросхеми / матеріалу для інкапсуляції може зрости до 99%, тоді як за звичайного падіння вона становить лише 84%. Це рішення може покращити пропускання світла в конусі виходу фотонів у всьому спектрі випромінювання світлодіодів, що не тільки зменшує споживання енергії, але і покращує термін служби світлодіода за рахунок зменшення тепла, що генерується через непотрібні відбиття всередині мікросхеми.
Дослідники вважають, що це рішення, як очікується, буде легко використовувати і застосовувати до існуючої технології напівпровідникового обладнання, а також може використовуватися самостійно або в поєднанні з іншими методами для зменшення критичних кутових втрат світлодіодів.
Повідомляється, що це дослідження було опубліковане в журналі" Light: Science& Застосування" в липні. (Укладач: LEDinside Janice)
