Яскравості цих світлодіодів достатньо для реалізації максимально просунутої технології датчика і зв'язку. Відкриття MIT можуть принести спрощене виробництво і поліпшити продуктивність нанорозмірних електронних продуктів. Зазвичай кремній робить джерело світла менш ефективним. Для вирішення цієї проблеми інженери-електрики зазвичай використовують інші матеріали для виробництва світлодіодів. У центрі уваги дослідників світлодіодів на основі кремнію для вирішення проблеми є спеціально розроблена розв'язка, яка полягає в контакті між різними ділянками діода для поліпшення яскравості. Ця технологія підвищує ефективність і дозволяє світлодіодам працювати при низьких напругах, генеруючи при цьому достатню кількість світла для передачі сигналів через 5-метровий волоконно-оптичний кабель.
В результаті fab може виробляти інші кремнієві мікроелектронні компоненти, такі як транзистори і фотоновикачі, при цьому виробляючи світлодіоди. Хоча новий інтегрований світлодіод не перевершує традиційні напівпровідники III-V, які використовуються у виробництві світлодіодів, він може легко перемогти попередні спроби світлодіодів на кремнієвій основі. Дослідники бачать, що одного разу світлодіодна технологія може бути побудована безпосередньо на кремнієвих процесорах, не вимагаючи окремого виробничого процесу. (Джерело: cnBeta)
